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硕士生导师
刘俊杰
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个人简介
刘俊杰,1954年3月出生,博士,特聘教授,博士生导师,IEEE fellow,IET Fellow,中国教育部长江学者讲座教授,教育部海外名师,教育部春辉学者。毕业于美国佛罗里达大学电子工程专业。原工作单位为美国中佛罗里达大学电子工程专业,终身讲席教授,副院长。目前工作单位为中国深圳大学电子信息工程学院。集成电路可靠性中心主任。研究方向为集成电路和电子器件可靠性设计,仿真,与建模。
个人详情

刘俊杰19543月出生,博士,特聘教授,博士生导师,IEEE fellow,IET Fellow,中国教育部长江学者讲座教授,教育部海外名师,教育部春辉学者。毕业于美国佛罗里达大学电子工程专业。原工作单位为美国中佛罗里达大学电子工程专业,终身讲席教授,副院长。目前工作单位为中国深圳大学电子信息工程学院。集成电路可靠性中心主任。研究方向为集成电路和电子器件可靠性设计,仿真,与建模。

国家/省级人才计划荣誉:

ª中国教育部长江学者讲座教授(2005,浙江大学)、教育部海外名师(2016,北京交通大学),教育部春辉学者(2001,北京大学)

ª中国四川省百人计划专家(2011,电子科技大学)

国际荣誉奖励:

ª美国政府杰出青年科学家奖

ªIEEE Electron Devices Society教育奖,IEEE Joseph M. Biedenbach杰出工程教育家奖,IEEE Section杰出工程师奖,IEEE Electron Devices Society杰出讲座奖

ª美国中佛罗里达大学Pegasus杰出教授奖,杰出科研奖,杰出教学奖,杰出服务奖

ªIEEE FellowIET Fellow,美国国家创新学院院士,新加坡制造技术研究院院士,美国洛克希德马丁公司特聘教授,美国国家半导体公司特聘教授

ª中国浙江大学,桂林理工大学,西安理工大学,北方民族大学,电子科技大学讲座教授

ª台湾科技大学,台北科技大学,台湾逢甲大学,台湾长庚大学荣誉讲座教授

ª台湾学术创新学会杰出学者奖,台湾圣约翰科技大学杰出校友奖

ªIEEE EDSSCIPFAISNEIEDMS等国际会议的荣誉大会主席

ª四项IEEE国际会议杰出贡献奖,四项IEEE国际会议最佳论文奖

ª一个电子器件模型被引用在世界先进的软件公司Synopsis开发的器件仿真软件Sentaurus (J. J. Liou, Modeling the tunneling current in reverse-biased p/n junction diode, Solid-State Electronics, vol. 33, July 1990)

招生兴趣:

电子器件和集成电路方向

学术/社会活动兼职:

ªIEEE电子器件学会副主席、首席财务长

ªMicroelectronics ReliabilityIEEE Simulation Journal等期刊编辑

ª担任七个特别期刊的编辑

ª担任超过50个国际会议的大会主席

ª美国Emoat公司技术总监

ª参与中国长江学者,国家自然科学基金,国家重点研发项目评审

ª参与工信部名师讲堂的规划筹备,为讲堂做主题报告

出版论文/著作:

ª专著13部,其中独立作者3部,合作作者10

ª期刊论文> 320篇,会议论文> 250篇(包括120篇主题/邀请报告),SCI他引> 8700次,h-index: 37

ª美国专利13项,中国专利5

代表性成果:

ª在中国三个高校成立了第一批芯片静电保护(ESD)实验室,为中国在ESD的学科教育,科研成果,与技术开发做出重大和突破性的贡献;

ª为美国Intersil公司设计出了世界上ESD防护级别最高的芯片,超过HBM 17000 V

ª为美国Intel公司设计了CPU内低压CMOS制程的高鲁棒性与低电容ESD保护电路;

ª为美国Analog Devices公司设计了在汽车电子内高压BCD制程的先进ESD保护电路;

ª第一个探讨与设计在纳米线,GaN,和organic制程的ESD保护方案;

ª建立和开发了世界领先的ESD器件仿真宏模型和仿真技术;

ª13项美国/5项中国静电防护设计的专利,突破了许多ESD技术瓶颈

代表性论文:

1. F. Schwierz and J. J. Liou,Modern Microwave Transistors: Theory, Design, and Applications, 8 chapters, 400 pages, Wiley, New York, Nov. 2002.

2. Y. Xi, J. Salcedo,J. J. Liou, and J. J. Hajjar, Robust protection device for electrostatic discharge/electromagnetic interference in industrial interface applications, IEEE Trans. Devices and Materials Reliability, vol. 16, pp. 263-266, June 2016.

3. F. Yu, W. Deng, X. Ma, and J. J. Liou, A physics-based compact model for symmetrical double-gate polysilicon thin-film transistors, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, pp. 2221-2227, May 2017.

4. T. Hu, S. Dong, H. Wong, X. Li, and J. J. Liou, A double snapback SCR ESD protection scheme for 28 nm CMOS process, Microelectronics Reliability, vol. 84, pp. 20-25, May 2018.

5. F. Hou, J. Liu, Z. Liu, and J. J. Liou, New diode-triggered silicon-controlled rectifier for robust ESD protection at high temperatures, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, pp. 2044-2048, Apr. 2019.

联系方式:

电话:2653-3630

E-mailjuin.liou@hotmail.com