教育背景

2010年，武汉理工大学材料科学与技术学院，材料学（双一流学科），学士

2016年，武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，材料物理与化学，博士

工作经历

2017年至2018年， 深圳大学电子科学与技术学院，博士后

2019年至2020年， 香港中文大学物理系，博士后

2019年至2022年， 深圳大学电子与信息工程学院，专职副研究员

2022年至今， 深圳大学电子与信息工程学院，助理教授

研究方向

本人长期从事微电子领域新型电子学器件研制和应用研究工作：1）忆阻器及神经形态器件：忆阻器的电学特性的研究；同时探索忆阻器类的神经形态器件在物理层面模拟生物突触、神经元信息处理功能，从而实现局域的存算融合。2）晶体管型闪存器件：晶体管闪存的电学特性；通过引入光活性的半导体层或浮栅层，尝试构建可多场（光场、电场）编程的闪存器件，提高器件的编程操作灵活性。上述相关方向以第一或通讯作者（含等同贡献）发表在Chem. Rev., Matter, Mater. Today, Appl. Phys. Rev., Adv. Funct. Mater.,等高水平学术期刊上，累计影响因子200以上。发表论文50余篇，SCI引用2000余次，h-index 22。撰写光电可编程存储器件相关英文专著一章。主持国家自然科学基金青年基金、广东省自然科学基金面上项目等6项，累计经费达168万元。拥有国内授权专利7项。2019年被认定为深圳市高层次人才。获得国家奖学金。广东省基础与应用基础研究基金、浙江省自然科学基金评审专家。长期担任Chemical Communications, Applied Nanoscience等期刊审稿人。

第一及通讯作者论文

1. Z. Lv, Y. Wang, J. Chen, J. Wang, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Semiconductor quantum dots for memories and neuromorphic computing systems, Chem. Rev. 2020, 120, 3941. (首封，中科院一区, IF=60.6，高引论文)

2. Z. Lv, X. Xing, S. Huang, Y. Wang, Z. Chen, Y. Gong, Y. Zhou, S.-T. Han,* Self-Assembling Crystalline Peptide Microrod for Neuromorphic Function Implementation, Matter 2021, 4, 1702. (Cell姊妹刊，中科院一区，IF=15.6)

3. Z. Lv, Y. Zhou,* S. -T. Han* and V. A. L. Roy,* From biomaterials-based data storage to bio-inspired artificial synapse, Mater. Today 2018, 21, 537. (中科院一区, IF=26.4)

4. Z. Gao, Y. Wang, Z. Lv,* P. Xie, Z.-X. Xu, M. Luo, Y. Zhang, S. Huang, K. Zhou, G. Zhang, G. Duan, Y. Zhou, S.-T. Han,* Ferroelectric coupling for dual-mode non-filamentary memristors, Appl. Phys. Rev. 2022, 9, 021417. (中科院一区, IF=19.2, online，未收录)

5. Z. Lv, M. Chen, F. Qian, V. A. L. Roy,* W. Ye, D. She, Y. Wang, Z.-X. Xu, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Mimicking Neuroplasticity in a Hybrid Biopolymer Transistor by Dual Modes Modulation, Adv. Funct. Mater. 2019, 29, 1902374. (期刊封面, 中科院一区, IF=18.8)

6. Z. Lv, Y. Wang, Z. Chen, L. Sun, J. Wang, M. Chen, Z. Xu, Q. Liao, L. Zhou, X. Chen, J. Li, K. Zhou, Y. Zhou*, Y.-J. Zeng, S.-T. Han* and V. A. L. Roy,* Photo-Tunable Biomemory based on Light-Mediated Charge Trap, Adv. Sci., 2018, 5, 1800714. (期刊首封, 中科院一区, IF=16.8)

7. J. Wang, Z. Lv (共同第一作者), X. Xing, X. Li, Y. Wang, M. Chen, G. Pang, F. Qian, Y. Zhou, S.-T. Han, Optically Modulated Threshold Switching in Core–Shell Quantum Dot Based Memristive Device, Adv. Funct. Mater. 2020, 30, 1909114. (期刊封面, 中科院一区, IF=18.8)

8. Z. lv, X. Li, Z. Chen, J. Chen, C. Chen, P. Xiong, T. Sun, G. Qing*, Surface Stiffness—a Parameter for Sensing the Chirality of Saccharides, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2015, 7, 27223. (中科院一区, IF=9.2)

9. Z. Lv, Q. Hu, Z.-X. Xu,* J. Wang, Z. Chen, Y. Wang, M. Chen, K.Zhou, Y. Zhou* and S.-T. Han,* Organic memristor utilizing copper phthalocyanine nanowires with infrared response and cation regulating properties, Adv. Electron. Mater. 2019, 5, 1800793. (期刊封面, 中科院二区, IF=7.3)

10. M. Chen, Z. Lv (共同第一作者), F. Qian, Y. Wang, X. Xing, K. Zhou, J. Wang, S. Huang, S.-T. Han, Y. Zhou, Phototunable memories and reconfigurable logic applications based on natural melanin. J. Mater. Chem. C, 2021, 9, 3569. (中科院一区，IF=7.4)

11. Z. Lv, Z. Chen, K. Shao, G. Qing*, T. Sun*, Stimuli-Directed Helical Chirality Inversion and Bio-applications, Polymers, 2016, 8, 310. (中科院二区, IF=4.3)

12. Z. Chen, Z. Lv (共同第一作者), G. Qing*, T. Sun*, Exploring the role of molecular chirality in the photo-responsiveness of dipeptide-based gels, J. Mater. Chem. B, 2017, 5, 3163. (中科院二区, IF=6.3)

13. Z. Chen, Z. Chi, Y. Sun, Z. Lv,* Chirality in peptide-based materials: From chirality effects to potential applications, Chirality, 2021, 33(10), 618(中科院四区，IF=2.4)

主持的科研项目

自然科学基金青年基金：短肽组装体忆阻器高一致性阻变特性及双场编程研究，2022-2024。

深圳市面上基金：基于短肽纳米技术的高性能类脑智能计算器件，2021-2024。

广东省面上项目：黑色素基光电可编程闪存的人工视觉系统研制，2021-2023，10万元。

中国博士后科学基金面上资助一等资助：基于碳量子点-蚕丝蛋白可降解阻变存储器的研究。2018-2019，已结题。

深圳市基础研究项目：可降解碳量子点-蚕丝蛋白基存储器的制备及阻变机理研究。2019-2021，已结题。

广东省联合基金：红外光响应瞬态阻变存储器的研制。2020-2021，已结题。

近年授权专利

1. 一种阻变存储器的机理的研究方法。吕子玉、周晔、韩素婷、王俊杰，专利号：ZL201810459342.8。

2. 一种可降解的蛋白基晶体管型存储器及其制备方法。韩素婷、吕子玉、周晔，专利号：ZL201710507902.8。

3. 一种阻变存储器及制备方法。周晔、韩素婷、吕子玉、陈朦。专利号：ZL201810459344.7。

4. 一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法。韩素婷、周晔、吕子玉、徐振庭。专利号：ZL201810366934.5。

5. 一种具有三端电极结构的稳健型光电忆阻器。王燕、吕子玉、程厚义、汪建、赵巍胜。专利号：ZL202121236457.4。